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双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

文献类型:期刊论文

作者杨萍; 姚文杰; 刘石勇; 彭文博; 谢小兵; 王超
刊名材料工程
出版日期2011
卷号xx期号:8页码:5-7,13
中文摘要采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3~5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,中国科学院知识创新工程重要方向资助项目
语种中文
公开日期2012-07-17
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23296]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨萍,姚文杰,刘石勇,等. 双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池[J]. 材料工程,2011,xx(8):5-7,13.
APA 杨萍,姚文杰,刘石勇,彭文博,谢小兵,&王超.(2011).双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池.材料工程,xx(8),5-7,13.
MLA 杨萍,et al."双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池".材料工程 xx.8(2011):5-7,13.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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