蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴猛
|
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 36期号:10页码:760-764 |
| 中文摘要 | 低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN)，发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响，并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品，分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现，晶体质量较差的时候，光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-07-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23251]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴猛. 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究[J]. 半导体技术,2011,36(10):760-764. |
| APA | 吴猛.(2011).蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究.半导体技术,36(10),760-764. |
| MLA | 吴猛."蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究".半导体技术 36.10(2011):760-764. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。