增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜彦东 ; 韩伟华 ; 颜伟 ; 张严波 ; 熊莹 ; 张仁平 ; 杨富华 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 36期号:10页码:771-777 |
| 中文摘要 | 随着高压开关和高速射频电路的发展，增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流，可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来，国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面，通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层，来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面，采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理，来控制表面电势，影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发，探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-07-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23256]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜彦东,韩伟华,颜伟,等. 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展[J]. 半导体技术,2011,36(10):771-777. |
| APA | 杜彦东.,韩伟华.,颜伟.,张严波.,熊莹.,...&杨富华.(2011).增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展.半导体技术,36(10),771-777. |
| MLA | 杜彦东,et al."增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展".半导体技术 36.10(2011):771-777. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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