纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭小动 ; 朱建军; 赵德刚; 张书明
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 60期号:7页码:076104-1-076104-4 |
| 中文摘要 | 在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 天津市自然科学基金,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-07-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23280]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭小动,朱建军,赵德刚,等. 纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性[J]. 物理学报,2011,60(7):076104-1-076104-4. |
| APA | 谭小动,朱建军,赵德刚,&张书明.(2011).纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性.物理学报,60(7),076104-1-076104-4. |
| MLA | 谭小动,et al."纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性".物理学报 60.7(2011):076104-1-076104-4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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