氧化铟纳米线的低温合成与性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 袁刚 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2011-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 周兴泰 ; 孙旭辉 |
| 关键词 | 氧化铟纳米线 低温合成 XAFS In-O键增强 |
| 学位专业 | 电磁场与微波技术 |
| 中文摘要 | 在本文中，我们以一维氧化铟纳米线为研究对象，开展了以下几个方面的研究工作： 第一，利用热蒸发法，通过VLS机理，以锑化铟粉末为蒸发源，通过控制不同的反应条件，成功在低温条件下合成了高质量的单晶In2O3纳米线，相较于传统合成方法中合成温度须在1000℃左右，此种方法可以将温度降低到400℃-450℃。同时利用SEM，TEM，EDS，HRTEM，同步辐射XRD等方法表征了合成的In2O3纳米线的形貌和晶体结构。研究结构显示，用低温合成的单晶In2O3纳米线的沿着[100]方向生长，直径约为40nm，长度在十几个微米，而且In2O3纳米线密度大。 第二，研究了合成的单晶氧化铟纳米线的电子结构。利用同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)谱学研究了高质量的单晶氧化铟纳米线电子结构和局部结构。XAFS研究结果显示，相较于In2O3块体材料，In的5p电子倾向于向O的轨道靠近，从而形成了更强的In-O键。 第三，研究了合成的单晶氧化铟纳米线的电学和光学性质。发现单晶氧化铟纳米线具有不同的电学性质，而PL谱学显示In2O3纳米线在380nm，465nm，530nm三处有PL峰，特别是紫外波段有很强的发光性质。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 分类号 | TB383 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9684]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁刚. 氧化铟纳米线的低温合成与性质研究[D]. 中国科学院研究生院. 2011. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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