低维半导体中载流子的动态屏蔽效应
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘月 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 怀平 |
| 关键词 | 半导体量子线 量子限域 库仑作用 动态屏蔽效应 能带重整化 |
| 学位专业 | 粒子物理与原子核物理 |
| 中文摘要 | 相比二维结构的半导体量子阱，准一维系统的半导体量子线中的载流子间的相互作用因很强的量子限域效应而加强。在半导体研究中，载流子之间的库仑相互作用带来了复杂的多体效应，例如能带重整化、光吸收增强等效应。当受激产生的电子-空穴气体浓度较低时，电子-空穴间的库仑作用较强，二者结合形成激子-中性的准粒子；当受激产生的电子-空穴气体浓度较高时，库仑作用被带电载流子自身所屏蔽，强度大为减弱而无法束缚电子-空穴，形成电子-空穴等离子体。 在本论文中，我们关注光激发的一维半导体量子线的量子限域效应及多体效应对其光学性质的影响。我们采用有限温度格林函数方法研究了T型半导体量子线和矩形量子线的动态屏蔽效应。为了研究电子-空穴等离子体引起的动态屏蔽效应，本文采用了动态屏蔽库仑势计算了T型半导体量子线和矩形量子线中的载流子自能。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9729]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘月. 低维半导体中载流子的动态屏蔽效应[D]. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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