强流大孔径500MHz 5-cell 超导高频腔的设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 韦业龙 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 刘建飞 |
| 关键词 | 高平均流强 超导高频腔 高次模（HOMs） 损耗因子 二次电子倍增 |
| 学位专业 | 电磁场与微波技术 |
| 中文摘要 | 本文根据高流强加速器用超导高频腔的物理和机械的要求，进行国内首台500MHz 5-cell 超导高频腔的优化设计。通过优化设计，新型500MHz 5-cell 超导腔的加速模TM010 的r/Q 达到了515.64 欧姆，表面峰值场强与加速梯度的比值分别为Ep/Eacc=2.45，Bp/Eacc=4.22 mT/MV/m。高次模抑制方案采用扩大束管降低截止频率的方法，将对束流影响大的高次模传输出超导腔，由位于恒温器外部、安装在束管上的高次模吸收器吸收功率，提高束流不稳定阈值。此外本文还对该5-cell 腔型进行了二次电子倍增、高功率输入耦合器等方面的数值模拟和初步设计。结果表明，优化设计后的腔型，不会发生二次电子倍增；同时借鉴TRISTAN同轴型输入耦合器，初步设计了用于该腔的高功率输入耦合器。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9750]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦业龙. 强流大孔径500MHz 5-cell 超导高频腔的设计[D]. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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