Direct growth of few layer graphene on hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ding, Xuli ; Ding, Guqiao ; Xie, XM ; Huang, Fuqiang ; Jiang, MH |
| 刊名 | Carbon.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 49期号:7页码:2522-2525 |
| ISSN号 | 00086223 |
| 通讯作者 | Xie, X.(xmxie@mail.sim.ac.cn) |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109171]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ding, Xuli,Ding, Guqiao,Xie, XM,et al. Direct growth of few layer graphene on hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition[J]. Carbon.,2011,49(7):2522-2525. |
| APA | Ding, Xuli,Ding, Guqiao,Xie, XM,Huang, Fuqiang,&Jiang, MH.(2011).Direct growth of few layer graphene on hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition.Carbon.,49(7),2522-2525. |
| MLA | Ding, Xuli,et al."Direct growth of few layer graphene on hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition".Carbon. 49.7(2011):2522-2525. |
入库方式： OAI收割
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