中国科学院机构知识库网格系统: Improved NiSi<inf>0.8</inf>Ge<inf>0.2</inf>/Si<inf>0.8</inf>Ge <inf>0.2</inf> contacts by <sup>C</sup> pre-implantation

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Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge 0.2 contacts by ^C pre-implantation

文献类型：期刊论文


作者	Zhang, B ; Yu, W ; Zhao, QT ; Buca, D ; Hollnder, B ; Hartmann, J.M. ; Zhang, M ; Wang, X ; Mantl, S
刊名	Electrochemical and Solid-State Letters
出版日期	2011
卷号	14 期号:7 页码:H261-H263
ISSN号	10990062
通讯作者	Zhang, B
公开日期	2012-08-28
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109331]
专题	上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang, B,Yu, W,Zhao, QT,et al. Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge 0.2 contacts by ^C pre-implantation[J]. Electrochemical and Solid-State Letters,2011,14(7):H261-H263.
APA	Zhang, B.,Yu, W.,Zhao, QT.,Buca, D.,Hollnder, B.,...&Mantl, S.(2011).Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge 0.2 contacts by ^C pre-implantation.Electrochemical and Solid-State Letters,14(7),H261-H263.
MLA	Zhang, B,et al."Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge 0.2 contacts by ^C pre-implantation".Electrochemical and Solid-State Letters 14.7(2011):H261-H263.

入库方式： OAI收割

来源：上海微系统与信息技术研究所

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