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Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer

文献类型：期刊论文

作者Cai, Daolin ; Li, Ping ; Zhai, Yahong ; Song, ZT ; Chen, HP
刊名Journal of Semiconductors.
出版日期2011
卷号32期号:9
ISSN号16744926
通讯作者Cai, D.(caidl@mail.sim.ac.cn)
公开日期2012-08-28
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109336]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714		 Cai, Daolin,Li, Ping,Zhai, Yahong,et al. Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer[J]. Journal of Semiconductors.,2011,32(9).
APA Cai, Daolin,Li, Ping,Zhai, Yahong,Song, ZT,&Chen, HP.(2011).Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer.Journal of Semiconductors.,32(9).
MLA Cai, Daolin,et al."Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer".Journal of Semiconductors. 32.9(2011).

入库方式： OAI收割

来源：上海微系统与信息技术研究所

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