中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
  2. 上海微系统与信息技术研究所
  3. 功能材料与器件
  4. 期刊论文
Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si 0.5Ge0.5 source

文献类型：期刊论文

作者Zhao, QT ; Yu, WJ ; Zhang, B ; Schmidt, M. ; Richter, S. ; Buca, D. ; Hartmann, J.-M. ; Luptak, R. ; Fox, A. ; Bourdelle, K.K. ; Mantl, S.
刊名European Solid-State Device Research Conference.ESSDERC 2011 - Proceedings of the 41st European Solid-State Device Research Conference
出版日期2011
期号0页码:251-254
ISSN号19308876
通讯作者Zhao, Q.T.(q.zhao@fz-juelich.de)
公开日期2012-08-28
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109338]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714		 Zhao, QT,Yu, WJ,Zhang, B,et al. Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si 0.5Ge0.5 source[J]. European Solid-State Device Research Conference.ESSDERC 2011 - Proceedings of the 41st European Solid-State Device Research Conference,2011(0):251-254.
APA Zhao, QT.,Yu, WJ.,Zhang, B.,Schmidt, M..,Richter, S..,...&Mantl, S..(2011).Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si 0.5Ge0.5 source.European Solid-State Device Research Conference.ESSDERC 2011 - Proceedings of the 41st European Solid-State Device Research Conference(0),251-254.
MLA Zhao, QT,et al."Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si 0.5Ge0.5 source".European Solid-State Device Research Conference.ESSDERC 2011 - Proceedings of the 41st European Solid-State Device Research Conference .0(2011):251-254.

入库方式： OAI收割

来源：上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。