High quality GaN epilayers grown on Si (1 1 1) with thin nonlinearly composition-graded Alx Ga1-x N interlayers via metal-organic chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang, R.F. ; Fang, Y.-Y. ; Dai, J.N. ; Zhang, L. ; Su, C.Y. ; Wu, Z.H. ; Yu, C.H. ; Xiong, H. ; Chen, C.Q. ; Hao, Y. |
| 刊名 | Journal of Alloys and Compounds.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 509期号:5页码:2227-2231 |
| ISSN号 | 09258388 |
| 通讯作者 | Fang, Y.-Y.(yanyanfang.hust@gmail.com) |
| 收录类别 | EI-263 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-08-28 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109340]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Xiang, R.F.,Fang, Y.-Y.,Dai, J.N.,et al. High quality GaN epilayers grown on Si (1 1 1) with thin nonlinearly composition-graded Al |
| APA |
Xiang, R.F..,Fang, Y.-Y..,Dai, J.N..,Zhang, L..,Su, C.Y..,...&Hao, Y..(2011).High quality GaN epilayers grown on Si (1 1 1) with thin nonlinearly composition-graded Al |
| MLA |
Xiang, R.F.,et al."High quality GaN epilayers grown on Si (1 1 1) with thin nonlinearly composition-graded Al |
入库方式： OAI收割
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