一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振 ; 张振中; 赵东旭
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| 发表日期 | 2008-07-02 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种电子束蒸发生长Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜的方法，利用电子束蒸发设备使烧结多晶ＭｇＯ和ＺｎＯ粉末形成的复合靶经电子束加热蒸发，沉积于基片上，形成Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ半导体合金薄膜。本发明制备工艺简单，成本低，适合于制备２８０ｎｍ－２２０ｎｍ波段的适于紫外探测器用…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 200610173389.5 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11029]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中,赵东旭. 一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明). 2008-07-02. |
入库方式： OAI收割
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