一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 张振中 ; 李炳辉; 刘可为; 申德振; 赵东旭
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| 发表日期 | 2008-04-30 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种高镁浓度ＭｇＺｎＯ薄膜的制备方法，利用磁控溅射（ＲＦ ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）设备外延生长方法，获得高质量的ＭｇＺｎＯ半导体三元合金薄膜；在合成的过程中可通过改变ＭｇＺｎＯ陶瓷靶中ＭｇＯ的浓度大小、衬底温度或者氩气和氧气流量来获得在２４０－３２０ｎｍ波段的…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 200610130882.9 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11031]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,李炳辉,刘可为,等. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明). 2008-04-30. |
入库方式： OAI收割
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