用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振
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| 发表日期 | 2003-10-15 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层的生长方法。用电子回旋共振微波等离子体技术，适合于单晶Ｓｉ衬底片，在一定微波功率条件下，通过调整［Ｎ↓［２］］／［Ａｒ］气体流速比，气压和生长时间控制薄膜厚度，在低温下生长超薄ＳｉＮ薄膜。本发明对硅衬底片无需再加热，可实现低温生长，克服高温ＣＶＤ易引起杂质再分布…… |
| 公开日期 | 2003-10-15 |
| 专利申请号 | 1138794.7 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11042]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明). 2003-10-15. |
入库方式： OAI收割
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