制备低温无催化剂针状Zn0纳米线的方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 赵东旭 ; 申德振
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| 发表日期 | 2006-02-01 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备低温无催化剂针状ＺｎＯ纳米线的方法。首先对衬底进行处理。将Ｚｎ源放于石英舟内，衬底垂直放于Ｚｎ源上方３－５毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中。对管式炉进行加热，使其迅速升温至反应温度４３０℃－５２０℃。在达到反应温度前向体系内通高纯Ａｒ，达到反…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 200410011281.7 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11045]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵东旭,申德振. 制备低温无催化剂针状Zn0纳米线的方法 (发明). 2006-02-01. |
入库方式： OAI收割
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