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制备ZnMgO合金薄膜的方法 (发明)

文献类型:专利

作者张振中; 李炳辉; 申德振
发表日期2011-12-28
专利类型发明专利
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中文摘要本发明涉及一种制备ZnMgO合金薄膜的方法,以金属Zn作为Zn源,以金属Mg作为Mg源,在通入氧气的等离子体辅助分子束外延设备中通过加热Zn源、Mg源,在蓝宝石衬底上沉积生长获得ZnMgO合金薄膜,固定Zn源和Mg源的温度,通过改变参与反应的氧气的流量,得到不同Mg组分的ZnMgO合金薄膜,在生长温度为600℃~800……
公开日期2011-12-28
专利申请号200710056297.3
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11046]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张振中,李炳辉,申德振. 制备ZnMgO合金薄膜的方法 (发明). 2011-12-28.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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