制备ZnMgO合金薄膜的方法 (发明)
文献类型:专利
作者 | 张振中![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2011-12-28 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种制备ZnMgO合金薄膜的方法,以金属Zn作为Zn源,以金属Mg作为Mg源,在通入氧气的等离子体辅助分子束外延设备中通过加热Zn源、Mg源,在蓝宝石衬底上沉积生长获得ZnMgO合金薄膜,固定Zn源和Mg源的温度,通过改变参与反应的氧气的流量,得到不同Mg组分的ZnMgO合金薄膜,在生长温度为600℃~800…… |
公开日期 | 2011-12-28 |
专利申请号 | 200710056297.3 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11046] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,李炳辉,申德振. 制备ZnMgO合金薄膜的方法 (发明). 2011-12-28. |
入库方式: OAI收割
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