多晶硅的定向生长方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 缪国庆; 缪国庆 |
| 发表日期 | 2006-05-31 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为２．０～３．０ｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火３～５小时，形成一薄层镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］小籽晶，用能量密度为２７０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］和频率为１０～１５Ｈｚ的准分子激光把非…… |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 专利申请号 | 200310115895.5 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11048]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,缪国庆. 多晶硅的定向生长方法 (发明). 2006-05-31. |
入库方式： OAI收割
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