制备微晶硅的方法 (发明)
文献类型:专利
作者 | 黄金英 ; 付国柱 ; 荆海 ; 凌志华 |
发表日期 | 2007-12-26 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 本发明属于半导体材料领域,是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜,用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中,进行真空热退火的同时辅以紫外光照射,非晶硅薄膜吸收紫外光能量转化为自身热能,紫外光的诱导作用不仅使非晶硅到微晶硅的相变…… |
公开日期 | 2007-12-26 |
专利申请号 | 200510016606.5 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11049] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄金英,付国柱,荆海,等. 制备微晶硅的方法 (发明). 2007-12-26. |
入库方式: OAI收割
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