深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 王淑荣 ; 吴一辉; 张平
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| 发表日期 | 2006-05-31 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及用于微电机、微电磁传感器、执行器中平面电磁线圈的制作方法。利用光刻在Ｓｉ片表面定义出线圈图形，再利用Ｓｉ深刻蚀，按已定义出的线圈图形，在Ｓｉ片表面刻蚀线圈槽和线圈引线通孔，在线圈槽内金属电铸得到金属结构，线圈槽内表面刻蚀的表面粗糙度将线圈镶嵌于线圈槽内。线圈包括：基底１、线圈槽２、线圈引线通孔３、绝缘层４、种…… |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 专利申请号 | 200310115908.9 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11364]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王淑荣,吴一辉,张平. 深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明). 2006-05-31. |
入库方式： OAI收割
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