铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振
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| 发表日期 | 2008-09-10 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在６００℃下高温处理衬底１０分钟－２０分钟，利用冷阱装置分别将二乙基锌及五羰基铁的温度源控制在所需数值，并使衬底温度降至最佳生…… |
| 公开日期 | 2008-09-10 |
| 专利申请号 | 200510017028.7 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11373]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法 (发明). 2008-09-10. |
入库方式： OAI收割
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