用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振 ; 赵东旭
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| 发表日期 | 2008-10-22 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ＺｎＣｌ↓［２］、Ｍｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ）↓［２］和Ｚｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２］一起与去离子水配制成电解溶液，在上述电解溶液中添加０．１ｍｏｌ／Ｌ的氯化钾ＫＣｌ形…… |
| 公开日期 | 2008-10-22 |
| 专利申请号 | 200510017068.1 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11376]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,赵东旭. 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法 (发明). 2008-10-22. |
入库方式： OAI收割
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