硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振 ; 张振中
|
| 发表日期 | 2006-09-13 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Ｓｉ衬底上生长Ⅱ－Ⅵ族薄膜的方法，是对Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Ｓｉ衬底上蒸镀一层ＺｎＯ薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ＺｎＯ缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法在处理过的ＺｎＯ／Ｓｉ上生长Ⅱ－Ⅵ族半导体材料。在Ｓｉ上蒸…… |
| 公开日期 | 2006-09-13 |
| 专利申请号 | 2144730.6 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11384]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明). 2006-09-13. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。