一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 申德振 ; 张振中
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| 发表日期 | 2005-07-13 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种对薄膜电致发光器件中发光薄膜制备方法的改进。用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）和低压下由高频感应产生等离子体使气体有机源分解，从而实现低温硫（硒）化锌－锰Ｚｎ（Ｓｅ）Ｓ：Ｍｎ薄膜生长。本发明的薄膜生长可在不同衬底上进行，且均可实现高亮度桔黄色光致发光和电致发光，发光波长位于５８０…… |
| 公开日期 | 2005-07-13 |
| 专利申请号 | 1116433.6 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11389]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明). 2005-07-13. |
入库方式： OAI收割
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