制备多晶硅的方法 (发明)
文献类型:专利
作者 | 缪国庆; 缪国庆 |
发表日期 | 2004-11-10 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域,是一种把非晶硅转化成多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍,薄层厚度为0.5~2.5nm。在400~500℃温度,氮气气氛下退火2~4小时,形成镍硅化合物NiSi,用能量密度为260~360mJ/cm↑[2]的准分子激光把非晶硅熔化。随着熔化的非晶硅温度降低,在非晶硅的…… |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利申请号 | 200310110056.4 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11391] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,缪国庆. 制备多晶硅的方法 (发明). 2004-11-10. |
入库方式: OAI收割
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