Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点的制备方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 张友林 ; 曾庆辉; 孔祥贵
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| 发表日期 | 2008-12-10 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及荧光纳米材料的制备方法，特别是一种Ⅱ型ＣｄＴｅ／ＣｄＳ核壳量子点的制备方法。首先用ＣｄＯ、硬脂酸和十八碳烯，在氩气存在的条件下制得镉的前驱体溶液；用碲粉、三正辛基膦和十八碳烯在密封容器中，制得碲的前驱体溶液；将ＣｄＯ溶于油酸和十八碳烯中，制得镉的储备液；将硫粉溶于十八碳烯中，制得硫的储备液；向镉的前驱体溶液中…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 200810051012.1 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11505]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张友林,曾庆辉,孔祥贵. Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点的制备方法 (发明). 2008-12-10. |
入库方式： OAI收割
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