立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 张振中 ; 申德振; 赵东旭; 李炳辉
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| 发表日期 | 2010-09-22 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法属于半导体光电材料制备技术领域，该方法利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ方法在低温富氧条件下生长立方相ＭｇＺｎＯ薄膜，生长条件是：选用蓝宝石和氧化镁衬底，生长室压力为２×１０４Ｐａ，生长温度２８０－４５０℃；载气为９９．９９９％氮气，ＭＣｐ２Ｍｇ作为镁源，源温控制在４０－５０℃，其摩尔流量为１８－４…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 201010172836.1 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11745]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,申德振,赵东旭,等. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明). 2010-09-22. |
入库方式： OAI收割
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