宽探测波段的InGaAs红外探测器 (发明)
文献类型:专利
作者 | 宋航![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2011-07-20 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
中文摘要 | 宽探测波段的InGaAs红外探测器,涉及光电子材料与器件的应用领域,它解决现有InGaAs红外探测器的探测范围窄,覆盖1.0μm-2.6μm探测范围必须用三个波段的InGaAs探测器来工作的问题,本发明采用n型InP衬底,In0.82Ga0.18As作为吸收层即i层,p型InP作为盖层,构成pin结构,这样使用一个In…… |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利申请号 | 201010604144.X |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11922] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋航,缪国庆,缪国庆,等. 宽探测波段的InGaAs红外探测器 (发明). 2011-07-20. |
入库方式: OAI收割
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