一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 宋航 ; 缪国庆; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟; 李志明; 黎大兵; 蒋红
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| 发表日期 | 2011-08-03 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种生长高铟组分铟镓砷的方法，涉及光电子材料与器件的应用领域，它解决了现有ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ红外探测器中由于提高ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｉｎ组分与ＩｎＰ衬底产生晶格失配，导致探测器性能下降，增加了缓冲层厚度的问题，本发明在低温４３０℃时生长组分为ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层，然后升高温度，并在高温对缓冲层进行恒温处理，然…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 201010604154.3 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11926]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋航,缪国庆,缪国庆,等. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明). 2011-08-03. |
入库方式： OAI收割
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