采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明)
文献类型：专利
| 作者 | 李炳辉 ; 王双鹏; 申德振
|
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ＡＬＤ反应前驱体Ａ在衬底表面形成单原子层；再通入ＡＬＤ反应前驱体Ｂ与ＡＬＤ反应前驱体Ａ反应，形成单层Ａ－Ｂ薄膜；重复以上步骤形成多层的－Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－薄膜；然后同时通入ＭＯ…… |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利申请号 | 201110262400.6 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12020]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李炳辉,王双鹏,申德振. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明). 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。