在衬底上生长异变缓冲层的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102194671A ; CN102194671A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层,形成基片；步骤5：对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 |
| 英文摘要 | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层,形成基片；步骤5：对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29 |
| 申请日期 | 2011-05-11 ; 2011-05-11 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 专利申请号 | CN201110121899.9 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23328]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺继方,尚向军,倪海桥,等. 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN102194671A, CN102194671A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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