一种高极化度自旋注入与检测结构
文献类型：专利
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| 作者 | 袁思芃 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102136535A ; CN102136535A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种高极化度自旋注入与检测结构,包括：一衬底,在该衬底上生长各层外延材料；一缓冲层,该缓冲层用于平滑衬底,使后续的外延结构完整性更好；一重掺杂下电极层,用于做欧姆接触和提供复合发光所需的空穴；一LED结构P区；一多量子阱结构,各量子阱依次生长,距离注入结的距离不同,阱的宽度不同,通过光探测的方法得到注入电流的自旋极化度和空间分辨的自旋迟豫信息；一LED结构N区；一铁磁性半金属薄膜,作为自旋电子流的注入源。利用本发明,不仅可以得到自旋电子流注入极化度,而且能够得到自旋迟豫在空间中的变化信息。 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高极化度自旋注入与检测结构,包括：一衬底,在该衬底上生长各层外延材料；一缓冲层,该缓冲层用于平滑衬底,使后续的外延结构完整性更好；一重掺杂下电极层,用于做欧姆接触和提供复合发光所需的空穴；一LED结构P区；一多量子阱结构,各量子阱依次生长,距离注入结的距离不同,阱的宽度不同,通过光探测的方法得到注入电流的自旋极化度和空间分辨的自旋迟豫信息；一LED结构N区；一铁磁性半金属薄膜,作为自旋电子流的注入源。利用本发明,不仅可以得到自旋电子流注入极化度,而且能够得到自旋迟豫在空间中的变化信息。 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-07-27 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2011-07-27 ; 2012-08-29 |
| 申请日期 | 2010-12-23 ; 2010-12-23 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 专利申请号 | CN201010602935.9 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23335]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁思芃. 一种高极化度自旋注入与检测结构, 一种高极化度自旋注入与检测结构, 一种高极化度自旋注入与检测结构, 一种高极化度自旋注入与检测结构, 一种高极化度自旋注入与检测结构, 一种高极化度自旋注入与检测结构. CN102136535A, CN102136535A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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