Fe 掺杂 GaN 核辐射探测器研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 姚昌胜 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 陆敏 |
| 关键词 | 氮化镓 Fe 掺杂 核辐射探测器 钝化 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 中文摘要 | GaN 材料具有宽的直接带隙、高的击穿电压、稳定的化学性以及强的抗辐射能力，采用 GaN 材料制备的核辐射探测器在面临越来越强的辐射环境以及高温环境下，较第一代、第二代半导体探测器更具优越性，但是其较大的反向漏电流，严重影响了其作为核探测器的性能和应用。基于以上漏电流问题，本论文提出采用 Fe 掺杂的高阻 GaN 制备核探测器，主要包括以下研究内容： 1.通过对 GaN 材料的优化、选择以及对制备核辐射探测器进行版图设计、工艺流程设计和优化、尤其是器件表面钝化工艺的优化，并最终成功制备出核辐射探测器原型器件。 2.分析各种 GaN 基肖特基核探测器的漏电流模型，发现其反向漏电流的途径主要包括两部分：a) GaN 材料的体漏电；b) GaN 基器件的表面漏电，针对以上两种不同漏电机制和途径，我们分别采用了两种不同的方式分别对体漏电流和表面漏电流进行改善，并最终获得了在反向 200V 偏压条件下，反向漏电流为 2.17nA cm-2的核辐射探测器。 3.对 Fe 掺杂 GaN 核辐射探测器进行 X 射线光电流相响应测试以及 X射线扫描成像实验，并进行了光淬灭研究，并对其产生的原因进行了分析。 4.利用241Am 作为 粒子源，对探测器进行 粒子能谱响应测试，获得了探测器对 粒子能谱的高斯响应峰，且峰型结构随着外加偏压增加而发生变化。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/721]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚昌胜. Fe 掺杂 GaN 核辐射探测器研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
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