降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构
文献类型：专利
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| 作者 | 祁琼 ; 熊聪 ; 王俊 ; 郑凯 ; 刘素平 ; 马骁宇 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102163804A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构,包括：一衬底；一N型限制层,该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层,该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层,该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层,该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层,该P型限制层制作在P型波导层上。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 申请日期 | 2011-03-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110064481.9 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23401]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁琼,熊聪,王俊,等. 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构. CN102163804A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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