宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 高卓 ; 王俊 ; 熊聪 ; 刘素平 ; 马骁宇 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102148479A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法,包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术,在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀,形成凸起的宽面结构,同时在凸起的宽面结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构,刻槽结构的刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面,完成器件的制备。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 申请日期 | 2011-03-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110052364.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23403]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高卓,王俊,熊聪,等. 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法, 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法, 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法, 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法. CN102148479A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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