半导体激光二极管发光单元及器件
文献类型：专利
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| 作者 | 郑凯 ; 王俊 ; 熊聪 ; 马骁宇 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102130423A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中：第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间,用于形成激光传输的通路；量子阱层,用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度,能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 申请日期 | 2011-01-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110033774.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23404]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑凯,王俊,熊聪,等. 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件. CN102130423A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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