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避免激光晶体结露的水冷控制方法

文献类型:专利

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作者林学春; 邹淑珍; 侯玮; 赵鹏飞; 农光一; 李晋闽
专利国别中国
专利号CN102377096A ; CN102377096A
著作权人中国科学院半导体研究所
专利类型发明
国家中国
文献子类发明
权利人中国科学院半导体研究所
中文摘要 一种避免激光晶体结露的水冷控制方法,包括如下步骤:步骤1:首先开启控制水温系统程序;步骤2:控制水温系统程序自动检测空气的温度、湿度和冷却水的初始温度,并存入程序的环境状态参数中;步骤3:在控制水温系统程序中输入工作状态参数;步骤4:运行控制水温系统程序,输出水温下降阶段数控制信号;步骤5:水冷机分阶段制冷,以避免激光器晶体棒结露。
英文摘要 一种避免激光晶体结露的水冷控制方法,包括如下步骤:步骤1:首先开启控制水温系统程序;步骤2:控制水温系统程序自动检测空气的温度、湿度和冷却水的初始温度,并存入程序的环境状态参数中;步骤3:在控制水温系统程序中输入工作状态参数;步骤4:运行控制水温系统程序,输出水温下降阶段数控制信号;步骤5:水冷机分阶段制冷,以避免激光器晶体棒结露。
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种中文 ; 中文
状态公开
专利申请号 CN201110401483.2
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23497]  
专题半导体研究所_全固态光源实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
林学春,邹淑珍,侯玮,等. 避免激光晶体结露的水冷控制方法, 避免激光晶体结露的水冷控制方法, 避免激光晶体结露的水冷控制方法, 避免激光晶体结露的水冷控制方法, 避免激光晶体结露的水冷控制方法, 避免激光晶体结露的水冷控制方法. CN102377096A, CN102377096A.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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