半导体晶体管结构及其制造方法
文献类型：专利
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| 作者 | 张严波 ; 韩伟华 ; 杜彦东 ; 李小明 ; 陈艳坤 ; 杨香 ; 杨富华 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102280454A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种半导体晶体管结构,包括：一绝缘体上硅,该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅,该顶层硅的中间有一凹部,该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区,该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道,该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内,并包裹硅鳍状结构；一漏电极,该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极,该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极,该栅电极制作在栅极导电条上。 |
| 公开日期 | 2012-09-07 ; 2011-12-14 ; 2012-09-07 |
| 申请日期 | 2011-08-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110241106.7 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23346]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张严波,韩伟华,杜彦东,等. 半导体晶体管结构及其制造方法, 半导体晶体管结构及其制造方法, 半导体晶体管结构及其制造方法, 半导体晶体管结构及其制造方法. CN102280454A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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