硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 韩伟华 ; 陈燕坤 ; 李小明 ; 张严波 ; 杜彦东 ; 杨富华 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102201483A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,包括：一硅衬底；一氧化硅层,该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构,该工形台面结构制作在氧化硅层上,该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极,该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层,该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面,在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极,该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上,并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极,该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。 |
| 公开日期 | 2012-09-07 ; 2011-09-28 ; 2011-09-28 ; 2012-09-07 |
| 申请日期 | 2011-05-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110124310.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23348]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩伟华,陈燕坤,李小明,等. 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法. CN102201483A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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