多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块
文献类型：专利
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| 作者 | 陈学磊 ; 赵柏秦 ; 郑一阳 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102253264A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块,其包括：基片、霍尔芯片、控制处理芯片和多个引脚。控制处理芯片采用硅基集成电路工艺制造,实现信号处理等多种功能。霍尔芯片采用砷化镓等适于制作霍尔元件的半导体材料制造。被测电流通过其中一对引脚流经传感模块并由模块内的霍尔芯片感知其产生的磁场。通过对该磁场的测量即可获取被测电流的信息。该模块既避免了使用铁芯带来的不便,又满足了霍尔芯片与控制处理芯片对材料的不同要求。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110096641.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23444]  |
| 专题 | 半导体研究所_科半公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈学磊,赵柏秦,郑一阳. 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块, 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块, 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块, 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块. CN102253264A. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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