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一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法

文献类型:专利

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作者郑婉华 ; 马传龙 ; 范学东 ; 渠红伟 ; 彭红玲 ; 王海玲 ; 马绍栋
专利国别中国
专利号CN102321920A
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
中文摘要 本发明涉及晶体材料处理技术领域,公开了一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法,包括:在铁电晶体材料上施加高脉冲电压,将该铁电晶体材料极化为周期性反转铁电晶体;以及对该周期性反转铁电晶体进行切割、抛光和对准键合,完成大厚度周期极化铁电晶体材料的制备。利用本发明可制备出大厚度的周期极化铁电晶体材料。
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种中文
专利申请号 CN201110241438.5
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23448]  
专题半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,马传龙,范学东,等. 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法, 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法, 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法, 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法. CN102321920A.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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