制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法 （发明）
文献类型：专利
| 作者 | 王立军
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| 发表日期 | 2001-06-20 |
| 专利号 | 1300096 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于半导体材料工艺技术，是一种与硅平面工艺兼容的制备纳米晶ＳｎＯ↓［２］薄膜的方法。采用溶胶－凝胶法，制备含有Ｓｎ（ＯＨ）↓［４］与聚乙二醇的溶胶，通过涂覆烘干预烧，高温烧结，形成纳米晶薄膜。制备溶胶的原料为无机盐ＳｎＣｌ↓［４］，加柠檬酸，用氨水滴定，…… |
| 公开日期 | 2012-09-14 |
| 申请日期 | 1999-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 99126828.8 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12606]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军. 制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法 （发明）. 1300096. 2001-06-20. |
入库方式： OAI收割
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