二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 （发明）
文献类型：专利
| 作者 | 崔承甲 ; 刘占国 |
| 发表日期 | 2002-09-18 |
| 专利号 | 1091079 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | α－ＳｉＯ↓［２］光学镀膜材料的制备方法，是一种制备光学镀膜材料的新的工艺方法，它省去了通常制备玻璃态ＳｉＯ↓［２］光学镀膜材料需在１７００℃以上高温熔融的复杂的工艺流程，代之而来的制备结晶态α－ＳｉＯ↓［２］光学镀膜材料，只需在较低温度不超过６００℃的条件下…… |
| 公开日期 | 2002-09-18 |
| 申请日期 | 1996-12-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 96117374.2 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12621]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔承甲,刘占国. 二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 （发明）. 1091079. 2002-09-18. |
入库方式： OAI收割
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