N型磷化铟欧姆接触制造方法 （发明）
文献类型：专利
| 作者 | 王立军
|
| 发表日期 | 1999-07-07 |
| 专利号 | 1221978 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种ｎ－ＩｎＰ欧姆接触的制造方法，属于半导体技术领域，通过向浓度为１×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］的Ｎ型ＩｎＰ表面依次蒸镀一定厚度的ＡｕＳｂ、ＡｕＧｅＮｉ和高纯Ａｕ使欧姆接触由常规法的４×１０↑［－６］Ω．ｃｍ↑［２］降到８×１０↑［－７］Ω．ｃｍ↑［２］，有…… |
| 公开日期 | 2012-09-14 |
| 申请日期 | 1997-12-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 97119870.5 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12717]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军. N型磷化铟欧姆接触制造方法 （发明）. 1221978. 1999-07-07. |
入库方式： OAI收割
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