外差式声光频谱仪芯片的制备方法 （发明）
文献类型：专利
| 作者 | 范俊清 ; 许承杰 ; 李也凡 |
| 发表日期 | 1999-11-10 |
| 专利号 | 1234332 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 中文摘要 | 外差式声光频谱仪芯片的制备方法，它克服了光栅发散透镜制备技术难度大的缺点。首先在ＬｉＮｂＯ↓［３］衬底上超精加工两个非球面短程透镜凹面，再进行精密抛光、超声清洗、高频溅射、高温扩散，制成Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ↓［３］波导，光刻换能器铝电极，再把半导体激光器和二极管阵…… |
| 公开日期 | 2012-09-14 |
| 申请日期 | 1998-05-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 97125630.6 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12719]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范俊清,许承杰,李也凡. 外差式声光频谱仪芯片的制备方法 （发明）. 1234332. 1999-11-10. |
入库方式： OAI收割
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