发光二极管集成矩阵组件及制法 （发明）
文献类型：专利
| 作者 | 卢景贵 ; 张富文 ; 侯凤勤 ; 王运复 ; 黄汉生 ; 杨玉宪 |
| 发表日期 | 1996-10-09 |
| 专利号 | 1032993 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 中文摘要 | 发光二极管集成矩阵组件及制法，属半导体电光集成电路件及其制备方法，本发明以发光材料ＧａＡｓ（Ｐ／）ＧａＡｓ（Ｎ）与本征ＧａＡｓ：Ｚｎ叠层复合，以空间隔离沟和Ｐ－Ｎ结隔离技术形成发光矩阵芯片再与黑瓷厚膜电路基座组成为组件，可用作贴片式信息记录显示光源，用于大小型…… |
| 公开日期 | 1996-10-09 |
| 申请日期 | 1990-07-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 90104677.9 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12724]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢景贵,张富文,侯凤勤,等. 发光二极管集成矩阵组件及制法 （发明）. 1032993. 1996-10-09. |
入库方式： OAI收割
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