低温(常温)场效应式气敏元件 （实用新型）
文献类型：专利
| 作者 | 王立军
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| 发表日期 | 2000-11-29 |
| 专利号 | 2408573 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型属于半导体器件，涉及一种低温（常温）场效应式气敏元件。主要由纳米晶气敏薄膜，ＳｉＯ↓［２］层，ｎ型或ｐ型Ｓｉ源、漏极，ｐ型或ｎ型Ｓｉ层，栅极金属电极，源、漏金属电极等构成。如果Ｓｉ层是ｎ型，那么Ｓｉ源、漏极是ｐ型的。在Ｓｉ层上有两个不相接触的Ｓｉ源、…… |
| 公开日期 | 2000-11-29 |
| 申请日期 | 1999-12-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 99257016.6 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12925]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军. 低温(常温)场效应式气敏元件 （实用新型）. 2408573. 2000-11-29. |
入库方式： OAI收割
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