超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 史同飞
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 学科主题 | 新型功能材料与固体内耗 |
| 公开日期 | 2012-10-09 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/7978]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史同飞. 超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究[J]. 物理学报,2011. |
| APA | 史同飞.(2011).超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究.物理学报. |
| MLA | 史同飞."超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究".物理学报 (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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