金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 任国强 ; 张锦平; 曾雄辉; 王建峰; 徐科
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| 发表日期 | 2012-02-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 101736400 B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝,在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差;所述原料配方摩尔比例为:Ga(CH3)3∶稀土有机配合物∶A(CH3)3=(1-x-y)∶x∶y,其中稀土有机配合物是指以稀土元素Re为核心的Re(TMHD)3或Re(i-PrCp)3,A表示III族元素硼或铝,0.1%≤x≤10.0%,0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝的有机配合物和稀土有机配合物按一定配比进行共掺,从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变,进而提高GaN晶体膜的发光性能。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 申请日期 | 2010-01-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010017134.6 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/829]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_测试分析平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任国强,张锦平,曾雄辉,等. 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法. CN 101736400 B. 2012-02-29. |
入库方式： OAI收割
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