高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 侯旭峰 ; 荆海 ; 谷长栋 ; 张会平 |
| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2007-02-28 |
| 期号 | 1 |
| 关键词 | ZnO薄膜 电化学沉积 ITO基板 禁带宽度 |
| ISSN号 | 1007-2780 |
| 中文摘要 | 利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显。利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱。透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5eV左右,且在阴极电势为-2.5V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21234]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯旭峰,荆海,谷长栋,等. 高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究[J]. 液晶与显示,2007(1). |
| APA | 侯旭峰,荆海,谷长栋,&张会平.(2007).高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究.液晶与显示(1). |
| MLA | 侯旭峰,et al."高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究".液晶与显示 .1(2007). |
入库方式： OAI收割
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